参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SPB80P06P G
说明	功率MOSFET   10mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	326 [库存更新时间：2026-01-17]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5033pF @ 25V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
漏源极电压Vds	60V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 5.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	173nC @ 10V
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	80A
Rds On(Max)@Id,Vgs	23mΩ
栅极电压Vgs	-10V
Qg-栅极电荷	115nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	340W
高度	4.4mm
长度	10mm
系列	SPB80P06
FET类型	P-Channel
宽度	9.25mm
正向跨导 - 最小值	18S
下降时间	30ns
上升时间	18ns
典型关闭延迟时间	56ns
典型接通延迟时间	24ns